第４８巻第１号目次

　　　　　　　　　−随　　想−

21世紀真空科学技術の展望------------------林　主税


小特集「SiGe薄膜成長とその装置技術」
　　　　　　　　　−解　　説−

SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御
　------------------------------室田淳一・櫻庭政夫

量子化学計算によるGeH4分解挙動解析御
　-----------------中村康一・井蓋直臣・ 相良文彦・
　　　　　　　　　　　立花明知・石原良夫・鈴木克昌

シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の
　歪局ひずみ評価
　--------臼田宏治・水野智久・沼田典則・手塚  勉・
　　　　　　杉山直治・守山佳彦・中払  周・高木信一

　　　　　　　　　−研　　究−

Si(001)上ゲルマン吸着に伴う水素移動とGe/Si原子交換
　の観察------------------------村田威史・末光眞希

　　　　　　　　　−製品紹介−

縦型SiGeエピタキシャル成長装置
　---------------(株)日立国際電気 (電子機械事業部)

超高真空化学気相成長装置I-2100SREを用いた
　Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長
　------------------------------------アネルバ(株)

一般論文
　　　　　　　　　−解　　説−

微量酸素添加成膜による巨大磁気抵抗(GMR)/トンネル
　磁気抵抗(TMR)多層膜の積層界面平坦化
　------------------------------角田匡清・高橋  研

　　　　　　　　　−研　　究−

希ガスを用いた容量結合型放電に対する電極材質の影響
　--------------------久保  隆・田中  誠・川田博昭

ねじれを吸収する溶接ベローズの有効性に関する研究
　----------津金洋之，清水広幸・三柴　隆・吉岡正人


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