遷移金属酸化物は，強磁性，強誘電性，超巨大磁気抵抗，金属絶縁体転移などの
多彩な物性を有し，不揮発性メモリであるReRAM，スピントロニクスなどを始め
として新規なデバイス用材料として期待されています．レーザアブレーション法
などに加え，応用展開を視野に入れスパッタリングによる薄膜形成も活発になっ
てきています．今回は，母材料となるターゲ”ット作製””薄膜作製および素子
への展開””薄膜素子の電子状態評価”の，薄膜デバイス作製の一連に関し先端
でご活躍さ，，れている方々に講演を依頼いたしました．多数の皆様のご参加を
お待ちしております．

日　　時：平成20年2月19日（火）（受付：12:30〜）
場　　所：機械振興会館　地下３階B3-6号室
　　　　　東京都港区芝公園3-5-8（東京タワー前）


　　　　　　　　　　　　　　―講演プログラム―

(1)不揮発性メモリReRAMおよび金属酸化物のスパッタ成膜プロセス開発  13:00-13:40
　　　　　　　（(独)産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　秋永広幸，島　久，高野史好，
（(株)アルバック半導体技術研究所）西岡　浩，小風　豊，鄒　紅コウ


(2)機能性酸化物のスパッタ成膜とその強誘電・磁気抵抗・熱電素子応用 13:40-14:20
　　　　　　　　　　（松下電器産業(株)　先端技術研究所）足立秀明

　　　　　　　　　　　　　　　　　―休憩―

(3)スパッタリング法による透明強磁性酸化物半導体CoドープTiO2薄膜の 14:40-15:20
　　作製と物性
　　　　　　　　　　　　　（(独)東北大学金属材料研究所）福村知昭

(4)不揮発性メモリ材料用スパッタリングターゲットの特性　　　　　　 15:20-16:00
　　　　　　（(株)豊島製作所マテリアルズシステム事業部）古山晃一

(5)新しい薄膜評価法としての硬Ｘ線光電子分光　　　　　　　　　　　 16:00-16:40
　　　　（(独)物質・材料研究機構共用ビームステーション）小林啓介，  
　　　　　　　　　　　　（(財)高輝度光科学研究センター）池永英司


参加費（予稿集代・消費税を含む）：当日受付にて，お支払ください．
　　　　1.SP部会会員　　　　　　　　　　　　　無料
　　　　2.日本真空協会・日本真空工業会会員　\3,000
        3.一般　　　　　　　　　　　　　　　\5,000
        4.学生　　　　　　　　　　　　　　　\1,000

申込み・問合せ先：日本真空協会　TEL：03-3431-4395，FAX：03-3433-5371
　　　　　　　　　　　　　　　　e-mail：ofc-vsj@vacuum-jp.org