スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
平成25年度第1回勉強会
スパッタリングプロセスを理解しよう！ その1
～反応性スパッタリングにおける動的質量バランスとプロセスの安定性を探る～
一般社団法人日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会では，平成25年より
新たにSP部会勉強会を開催していくことを計画しております．SP部会勉強会は,1つのテーマをトピ
ックスとして論文紹介や研究紹介によりラウンドテーブル方式で議論をおこない，そのテーマを深
く掘り下げて勉強していこうというものです．当初はシリーズでスパッタリングプロセスを勉強し
ていく予定としております．
第1回目は，反応性スパッタリングにおける反応性ガス質量の動的･静的バランスとプロセスの安
定性をテーマとして開催します．反応性スパッタリング法は，酸化物，炭化物あるいは窒化物薄膜
の堆積プロセスとして広く使われている方法です．反応性スパッタリングでは，チャンバー内に導
入された反応性ガスは，スパッタリング粒子と反応して化合物を形成すると同時にターゲット表面
においても化合物層を形成します．ターゲット表面における化合物層形成は，基板上における化合
物形成とともに薄膜堆積速度やプロセスの動的（時間）安定性に影響します．反応性スパッタリン
グプロセスにおける反応性ガス質量バランスの動的（時間）変化やプロセスの安定性への理解を深
めていき，反応性スパッタリングプロセスのさらなる工業的展開を目指します．
日 時：平成25年4月25日(木) 14:00～17:00 (受付 13:30～)
14:00～16:00 ラウンドテーブル勉強会
16:00～17:00 懇親会・自由討議
場 所：金沢工業大学東京事務所 2階会議室
http://www.kanazawa-it.ac.jp/about_kit/access.html
〒107-0052 東京都港区赤坂2-17-41 TEL：03-3589-2821
話題提供･コーディネーター：金沢工業大学高度材料科学研究開発センター 教授 草野 英二
参加費（資料代・消費税を含む）：
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員：無 料
日本真空学・日本真空工業会会員： 3,000円
一般： 5,000円
学生： 1,000円
※人数を限っての開催となります．お申込は事前に行ってください．
なお，SP部会会員を優先とさせていただきます．
申し込み先：一般社団法人 日本真空学会 事務局
E-mail：ofc-vsj@vacuum-jp.org TEL：03-3431-4395 FAX：03-3433-5371
講演プログラム:
■反応性スパッタリングにおける質量バランスとは，ヒステリシス形成とは何か？
■質量バランスの静的モデル（Berg's model)・動的モデルとは何か？
■動的質量バランスモデルこそがプロセスを説明する．なぜか？
■時間的変化，ヒステリシス形成などの不安定性の原因は何か？
■プロセスをより安定にするためには？
■大面積反応性スパッタリング薄膜堆積の高速化は可能か？
◇主な紹介文献
・S.Berg,H.-O.Blom,M.Moradi,C.Nender,T.Larsson,“Process modeling of reactive
sputtering,”J.Vac.Sci.Technol.A7,1225(1989).
D.Depla,S.Heirwegh,S.Mahieu,J.Haemers,R.De Gryse,“Understanding the discharge
voltage behavior duringreactive sputtering of oxides,”J.Appl. Phys.101,013301
(2007).
Eiji Kusano,Denis M.Goulart,“Time-dependent simulation modelling of reactive
sputtering,” Thin Solid Films, 193-194, 84-91 (1990).
Eiji Kusano, Akira Kinbara,“Time-dependent O2 mass balance change and target
surface oxidation during mode transition in Ti-O2 reactive sputtering,” J.
Appl.Phys.87,2015(2000).
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