スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)
平成21年度技術講習会

スパッタリング法による薄膜堆積

　日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会では，
平成21年度技術講習会を下記の要領で開催致します。スパッタリング技術を
基礎から最先端まで徹底的に解説します．薄膜作製に携わる若手・中堅技術
者に適した講習会です．多数のご参加をお待ち申し上げます．

　　　　　　　　　　　　　　　　　記

日　時　平成21年10月2日（木）午前 10：00 〜 12：00
　　　　　　　　　　　　　 　午後  1：00 〜 4：30

会　場　機械振興会館6階6D-3号室

講　師　草野　英二（金沢工業大学教授，SP部会・部会長）

講義内容
１．真空とプラズマの基礎
　1.1 真空の基礎
　1.2 プラズマの基礎
　1.3 薄膜成長機構概論
２．スパッタリング法の基礎
　2.1 スパッタリング現象
　2.2 直流スパッタリング法と高周波スパッタリング法
　2.3 スパッタリング率
　2.4 スパッタリング粒子のエネルギー
　2.5 スパッタリング粒子の熱中性化
３．反応性スパッタリング法
　3.1 反応性スパッタリング法とは
　3.2 反応性スパッタリング法の原理
　3.3 反応性スパッタリング法における堆積速度の低下
４．スパッタリング法により堆積した薄膜の構造
　4.1 基板温度・放電圧力・粒子エネルギーの薄膜の構造への影響
　4.2 スパッタリング法による作成された薄膜の内部応力
５．スパッタリング法の弱点
　5.1 化合物薄膜堆積速度の遅さ
　5.2 化合物薄膜堆積プロセスの不安定さ
　5.3 スパッタリング粒子の温度および方向性の制御性
　5.4 残留圧縮応力の強さ
６．スパッタリング法の弱点克服
　6.1 パルスおよびACスパッタリング法
　6.2 ハイパワーパルススパッタリング法
　6.3 イオン化スパッタリング法
　6.4 ガス分離スパッタリング法
７．おわりに
　7.1 生産技術としての薄膜作製法の比較　〜まとめに替えて〜

受講料（テキスト代と昼食代を含みます.）
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員　18,000円
日本真空協会会員　　　　　　　　　　　　　　　　　38,000円
一般　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　42,000円

定員　25名
（スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員を優先させていただ
くことがございます．）

申し込み方法
　日本真空協会事務局に申し込み用紙をご請求の上，9月25日（金）までに
お申し込み下さい．なお，定員になりしだい締め切らせていただきます．

日本真空協会事務局　担当：荻野
　　　　　TEL: 03-3431-4395, FAX: 03-3433-5371 　
　　　　　e-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org