スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)
平成25年度技術講習会
生産・開発現場のためのスパッタリング法
〜基礎から，ターゲット品質，パーティクル発生の抑制，そして薄膜応力の制御まで〜

　日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会では，平成25年度技術講習会を開催致します．スパッタリング
技術を基礎から最先端まで徹底的に解説します．薄膜作製に携わる若手・中堅技術者に適した講習会です．多数のご参加をお待
ち申し上げます．

　　　　　　　　　　　　　　　　　記

日　時　平成25年12月11日（水）午前 10:00 〜 12:00
 　　　　　　　　　　　　　　 午後  1:00 〜  4:30

会　場　機械振興会館 地下3階 Ｂ3-2号室

講　師　草野　英二（金沢工業大学教授，前スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会長）

◆はじめに
　スパッタリング法は，工業的に広く使われている薄膜作製法である．スパッタリング法の特徴として，基板温度を上げるこ
となく，物性に優れた薄膜が得られるということが挙げられる．これは，スパッタリング法においてターゲットから発生した
粒子が大きなエネルギーを持つがゆえである．しかしながら，同時にこのスパッタ粒子の大きなエネルギーが異物の発生を引
き起こしたり，薄膜に大きな応力を残留させたりするというような短所をも生じさせることになる．異物の発生，応力の残留
と，それにともなう付着力の低下はプロセスやデバイスの信頼性を保証する上での大きな問題であり，スパッタリング法によ
る薄膜堆積において必ず遭遇する問題であるともいえる．　本講習では，スパッタリング法の技術基盤を学んでいくことによ
り，生産あるいは技術開発の現場において遭遇するいろいろなトラブルに対応する力を身につけていくことを目標とし，スパ
ッタリングプロセスの特徴とスパッタリングプロセスにより得られる薄膜物性の特徴を解説する．ぜひ，講義に参加し，スパ
ッタリング法による薄膜生産技術の改善あるいは新しいプロセス・デバイス開発に役立ててください．

講習内容
　１．スパッタリング法の基礎技術　　　　　　　　　　　　　６．スパッタリングターゲット
　２．スパッタリング法の基礎　　　　　　　　　　　　　　　７．スパッタリング薄膜の内部応力
　３．スパッタリング法により作製された薄膜の特徴　　　　　８．スパッタリング薄膜における付着と内部応力
　４．いろいろなスパッタリング法　　　　　　　　　　　　　９．スパッタリングプロセスにおける異物発生とその抑制
　５．反応性スパッタリング法　　　　　　　　　　　　　　１０．まとめ

受講料（テキスト代と昼食代を含みます.）
　スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員　10,000円
　日本真空学会会員　　　　　　　　　　　　　　　　　30,000円
　一般　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　40,000円
　学生　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 5,000円

定員　30名
　　（スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員を優先させていただくことがございます．

申し込み方法
　日本真空学会事務局に申し込み用紙をご請求の上，12月6日（金）までにお申し込み下さい．
　なお，定員になり次第締め切らせていただきます．

一般社団法人日本真空学会事務局
　　　　　TEL 03-3431-4395　FAX 03-3433-5371
　　　　　e-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org