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スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会 第158回定例研究会

6月 1日 @ 13:00 - 16:50

スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)
第158回定例研究会
テーマ:「成膜用プラズマプロセスと先端材料薄膜堆積」

 産業に広く浸透しているスパッタ成膜やプラズマCVD法は,大面積コーティングやフレキシブル基板へのコーティングなど,その応用範囲を広げています.成膜技術の拡大,進展を支えるのは,プラズマ生成法やプラズマ特性に基づく膜質制御技術です.
 本研究会ではこれらに関する最新の技術動向を,大学及び国立研究機関から最前線でご活躍中の講師をお招きして講演して頂きます.また,最新の酸化物薄膜成長とその応用についてもご講演頂きます.本研究会に多数の方が参加され,スパッタリングおよびプラズマプロセス分野の更なる発展,製品化につながる知見が得られることを期待します.多くの皆様のご参加を心よりお待ち申し上げます.

 

日 時
2018年6月1日(金) 13:00~16:50 (受付12:30~)
場 所
機械振興会館 地下3階 B3-6号室 (東京都港区芝公園3-5-8) 交通アクセス
講演プログラム  講演時間40分(質疑応答5分間含む)
磁場閉じ込め型プラズマCVD装置開発とシリコン窒化膜堆積(東北大学) 後藤哲也 13:00~13:40
 
プラズマ支援堆積プロセスにおける活性種の計測・制御とナノ材料・薄膜の制御合成
(名古屋大学) ○近藤博基,石川健治,小田 修,平松美根男,天野 浩,堀 勝 13:40~14:20
 
スパッタリングによる酸化物・窒化物薄膜の成膜:デジタルメモリからニューロモルフィック素子への展開
(産業技術総合研究所) ○島 久,高橋 慎,内藤泰久,秋永広幸 14:20~15:00
 

休憩 (15:00~15:30)

パワーデバイスへの応用を目指した酸化ガリウムのMBE成長
   (情報通信研究機構1,タムラ製作所2
○中田義昭1,上村崇史1,リンガバルティ ラビキラン1,倉又朗人2,山腰茂伸1,東脇正高1 15:30~16:10
 
ECRスパッタ法によるHf系MONOS構造の形成とデバイス応用(東京工業大学) ○大見俊一郎,工藤聡也 16:10~16:50
 

参加費 ※当日受付にてお支払いください.
SP部会員  無料
日本表面真空学会個人正会員  23,000円
日本表面真空学会法人正会員,維持会員,賛助会員に属する方  18,000円
教育機関,公的機関に属する方  12,000円
学生   5,000円
一般  28,000円
申込方法
定員に達したため申込みは終了しました.


問合せ先
公益社団法人日本表面真空学会 事務局
TEL: 03-6801-6264  FAX: 03-3812-2897  E-mail: office@jvss.jp

主催者

日本表面真空学会